Silikde esasly OptoTeelektronika üçin, kripkon fotodters üçin
FotodçilikçurslarLighteňillik signallaryna elektrik signallaryna öwürmek üçin, "Viltion" optoelektronicans platformalary, "Silikcon" esasly optoicectormolika platformalary bir nesli maglumat merkezlerine öwrüldi we telekommunikasiýa ulgamlary bar. Bu makalada ösen ýokary tizlikli fotodelektrik, "Arhiron" esasly nemes fonirine ünsi çeker, "GE ýa-da SI fotoetcheque ähmiýetine göz ýetirerSilikon PhotDoşaktorlarbitewi Optoelektronika tehnologiýasyny üçin.
Milikde çylşyrymly platformalarda yşyklandyrylan platformalara ýakynlaşdyrylandygy sebäpli, CMOS proseslerine laýyk gelmek we telekommunikasiýa tolkunlaryna düýpgöter hereketsiz möhleti bilen özüne çekiji materialdyr. Iň köp ýaýran G / SIFFOETKTA-yň daşarky nemes, içerki we n-görnüşli sebitleriň arasynda içerki nemes bolup, p görnüşli nemes emele getirýän p-görnüşi.
Enjamyň gurluşy 1-nji surat 1 adaty dik pinki görkezýär ýa-daSi fotoetcurserGurluşy:
Esasy aýratynlyklar şulary öz içine alýar: Silikon plitrugynda baýrak siňi siňdiriji gatlak; S we n töleg alynýan ýerlerini ýygnamak üçin ulanylýar; Tygşytly yşyklandyryş siňdirilmegi üçin tolkunlaşdyrmak.
Epitaksiýa ösüşi: Iki materialyň arasynda kümüşden ýokary hilli watanyň gynamçylyga ýetmek kyn. Iki ädim ädüşmek, adatça ulanylýar: pes temperatura (300-400 °00 °,000) bufer gatlaklary we ýokary temperatura (600 ° GE) Buferiň üstünde durýar. Bu usul, gämisiň ýitip barýanlary sebäpli ýüze çykýan böküş meýdanlaryny dolandyrmaga kömek edýär. Önümçiligiň soňky abadançylygy 800-900 ° C-de ösüş anantiýasy mundan beýläkki ýaýramagynyň dykyzlygy dykyzlygy azaldýar 10 ^ 7 sm ^ -2-de ösüş depginini peseldýär. Çermegiň aýratynlyklary: Iň ösen g / S сler PIN fotodetkor gazanyp biler: Jogapçylyk,> 0.8A / W 1550 nm; Geçirijilik giňligi,> 60 Ghz; Garaňky tok, <1 μA -1 V Bias.
Kilikde esasly optoelektrektraýly optoelektrasiýa platformalary bilen hyzmatdaşlyk
IntegrasiýasySpeokary tizlikli fotodelektrler"Vilison" esasly optoeelektroniklik platformalary bilen ösen optiki geçişleri we baglanyşyklary mümkinçilik berýär. Esasy integrasiýa usullary: fotoetkatoryň we bentewektraýty, ýokary temperatura gaýtadan işlemegiň ýokary derejesine ýetmäge mümkinçilik berýän demir ýol integrasiýasy (o tol), ýokary temperatura gaýtadan işlemäge mümkinçilik berýän demofonsiýa (fol), ýöne çip sebiti almak üçin bir utokarda öndürilen refforikonon üstünde öndürilýär. Yzky ujuna (beol). "Fotsportctertorlar" gamçalara gal geçmezlik üçin metiki metyň üstünde önümçilik döredilýär, ýöne pes gaýtadan işleýän temperaturalary bilen çäklenýär.
2-nji surat: ýokary tizlikli GE / SI fotodetkoryň duýgurlygy we geçirijilik giňligi
Maglumat Merkezi
Elektron tizlikli fotodektrler, maglumat merkeziniň internogynyň arasyndaky esasy komponentdir. Esasy programmalary öz içine alýar: Officaliki geçişler: pam-4 modulýasiýasyny ulanyp, 100G, 400G we Has ýokary göterim: "4G, 400G we has ýokary pasty; ADevesiveokary geçiriş güni fotodetkurer(> 50 GHZ) hökmanydyr.
Silikon esasly opteele toplumynda modullýatlar we beýleki bölekler bilen detektoryň monolit integrasiýasy; Ykjam, ýokary öndürijilik optiki motory.
Peara dakylýan arhitektura: paýlanan kompesigirleme, smetogram we saklanylýan paýlama we saklamak arasynda optiki arsylyk; Energiýa tygşytlaýan, ýokary derejeli fotodetrurgerlere bolan islegi sürmek.
Geljekki dünýägaraýyş
"Optoelektroniki ýokary hilli fotodketkorlarynyň geljegi aşakdaky tendensiýalary görkezer:
Digorokary maglumatlaryň nyrhlary: 800g we 1.6t transýänleriň ösüşini sürmek; 100-den uly zolakly önümler bilen fotodektler bar.
Galan Integrasiýasy: III-V Materialyň we Silikjonyň ýeke-täk integrasiýasy; Ösen 3D integrasiýa tehnologiýasy.
Täze materiallar: aşa köp çyzyk üçin iki ölçegli materiallary öwrenmek (çal reňk ýaly); Giňeldilen tolkun uzynlygy üçin täze topar IV oturgyç.
Eneringingerip duranmalar: Lidar we beýleki duýgur programmalar makdanyň ösüşini sürmekdir; Mikrotolkund fonton programmalary ýokary hilli fotodetkektrikleşmegini talap edýän Mixckve Ford programmalary.
Ericiki-Prinokary tizlikli fotodklerrenler, esasanam grek ýa-da fotoetektrorlar, kroteton esasly optoToelektrewalastika we indiki nesil optiki aragatnaşykyň esasy hereketine öwrüldi. Materiallarda ösüş, enjam dizaýny we integrasiýa tehnologiýasy geljekdäki maglumatlar merkezlerine we telekommunikasiýa ulgamlarynyň bar bar bolan "umumy zolakly talaplary hödürlemek möhümdir. Marag ugreşini ösdürip ýetişdiriş dabarasyna öňe sürülerkä, elektron we foto haýwanlary bilen süňkünden seamesselfripme bilen fotodetsiýalaryny görmäge garaşyp bileris.
Iberiş wagty: Jan-20-2025-nji ýylda