Powerokary kuwwatly kremniy karbid diodynyň PIN Photodetector-a täsiri

Powerokary kuwwatly kremniy karbid diodynyň PIN Photodetector-a täsiri

Powerokary kuwwatly kremniý karbid PIN diody hemişe elektrik enjamlaryny öwrenmek ugrundaky iň nokatlardan biri bolup gelýär.PIN diody, P + sebiti bilen n + sebiti arasynda içerki ýarymgeçirijiniň (ýa-da pes konsentrasiýasy bolan ýarymgeçirijiniň) gatlagyny sandwiçlemek arkaly gurlan kristal dioddyr.PIN-de i “içki” manysy üçin iňlis dilindäki gysgaltma bolup durýar, sebäbi hapalarsyz arassa ýarymgeçirijiniň bolmagy mümkin däl, şonuň üçin programmadaky PIN diodyň I gatlagy az mukdarda P bilen garylýar; görnüşi ýa-da N görnüşli hapalar.Häzirki wagtda kremniy karbid PIN diody esasan Mesa gurluşyny we tekiz gurluşyny kabul edýär.

PIN diodyň işleýiş ýygylygy 100MHz-den geçende, birnäçe göterijiniň saklaýyş täsiri we I gatlakdaky üstaşyr wagt täsiri sebäpli, diod düzediş täsirini ýitirýär we impedans elementine öwrülýär we impedans bahasy ikitaraplaýyn naprýa .eniýe bilen üýtgeýär.Nol tarapdan ýa-da DC ters tarapdan, I sebitdäki päsgelçilik gaty ýokary.DC öňe saýlanmakda, I sebit daşaýjy sanjym sebäpli pes impedans ýagdaýyny görkezýär.Şonuň üçin PIN diody üýtgeýän impedans elementi hökmünde ulanylyp bilner, mikrotolkun we RF gözegçilik ulgamynda, signal çalşygyny gazanmak üçin köplenç kommutasiýa enjamlaryny ulanmak zerur, esasanam käbir ýokary ýygylykly signal dolandyryş merkezlerinde PIN diodlary has ýokarydyr RF signal dolandyryş mümkinçilikleri, ýöne faza çalşygynda, modulirlemekde, çäklendirmekde we beýleki zynjyrlarda giňden ulanylýar.

Powerokary kuwwatly kremniý karbid diody, ýokary naprýa resistanceeniýe garşylyk aýratynlyklary sebäpli, esasan ýokary güýçli düzediji turba hökmünde ulanylýar.PIN diodynyň esasy naprýa dropeniýeniň düşmegini göterýän ortadaky pes doping i gatlagy sebäpli ýokary ters kritiki bölüniş naprýa Veniýesi VB bar.I zonanyň galyňlygyny ýokarlandyrmak we zonanyň doping konsentrasiýasyny azaltmak, PIN diodyň ters bölek naprýa .eniýesini netijeli gowulaşdyryp bilerin, ýöne zonanyň bolmagy ähli enjamyň öňe çykýan naprýa dropeniýe VF-ni we enjamyň kommutasiýa wagtyny gowulaşdyraryn. belli bir derejede we kremniý karbid materialyndan ýasalan diod bu kemçilikleriň öwezini dolup biler.Silikon karbid, kremniniň karbid diod I zolagynyň galyňlygy kremniý turbasynyň ondan birine çenli peselip biler ýaly, kremniniň karbid materiallarynyň gowy ýylylyk geçirijiligi bilen birlikde kremniý karbid diod I zonasynyň galyňlygy 10 esse peselip biler. , ýylylygyň ýaýramagynyň aç-açan problemalary bolmaz, şonuň üçin ýokary güýçli kremniý karbid diody häzirki zaman elektrik elektronikasy pudagynda möhüm düzediji enjam boldy.

Örän kiçijik ters syzdyryjy tok we ýokary göterijiniň hereketi sebäpli, kremniý karbid diodlary fotoelektrik kesgitlemek pudagynda uly gyzyklanma döredýär.Ownuk syzdyryjy tok detektoryň garaňky tokyny azaldyp, sesini azaldyp biler;Carokary göterijiniň hereketi, kremniy karbid PIN detektorynyň duýgurlygyny ýokarlandyryp biler (PIN Photodetector).Silikon karbid diodlarynyň ýokary kuwwatly aýratynlyklary PIN detektorlaryna has güýçli ýagtylyk çeşmelerini tapmaga mümkinçilik berýär we kosmos meýdanynda giňden ulanylýar.Powerokary kuwwatly kremniy karbid diody ajaýyp aýratynlyklary sebäpli üns berildi we gözlegleri hem ösdürildi.