Gözlegiň gidişiInGaAs fotodetektor
Aragatnaşyk maglumatlary geçiriş göwrüminiň çalt ösmegi bilen optiki özara baglanyşyk tehnologiýasy adaty elektrik baglanyşyk tehnologiýasynyň ornuny tutdy we orta we uzak aralyga pes ýitgili ýokary tizlikli geçiriş üçin esasy tehnologiýa öwrüldi. Optiki kabul ediş nokadynyň esasy bölegi hökmündefotodetektorýokary tizlikli öndürijiligi üçin barha ýokary talaplary döredýär. Şolaryň arasynda tolkun goragly birikdirilen fotodetektor ululygy kiçi, geçirijilik giňligi ýokary we ýokary tizlikli fotodeteksiýanyň gözleg merkezi bolan beýleki optoelektron enjamlary bilen çipde birleşdirmek aňsat. we ýakyn infragyzyl aragatnaşyk zolagynda iň wekil fotodetektorlardyr.
InGaAs ýokary tizlige ýetmek üçin iň amatly materiallardan biridir weýokary sesli fotodetektorlar. Ilki bilen, InGaAs gönüden-göni zolakly ýarymgeçiriji materialdyr we onuň zolak giňligi In we Ga arasyndaky gatnaşygy bilen kadalaşdyrylyp, dürli tolkun uzynlyklarynyň optiki signallaryny tapmaga mümkinçilik berer. Olaryň arasynda In0.53Ga0.47As InP substrat paneli bilen ajaýyp gabat gelýär we optiki aragatnaşyk zolagynda örän ýokary ýagtylyk siňdiriş koeffisiýenti bar. Fotodetektor taýýarlanylanda iň giňden ulanylýar we iň ajaýyp garaňky tok we duýgurlyk ýerine ýetirijiligine eýedir. Ikinjiden, InGaAs we InP materiallarynyň ikisinde hem ýokary elektron süýşme tizlikleri bar, doýgun elektron drift tizlikleri takmynan 1 × 107cm / s. Şol bir wagtyň özünde, belli bir elektrik meýdanlarynda InGaAs we InP materiallary elektron tizliginiň artykmaç täsirini görkezýär, aşa ýokary tizlikleri degişlilikde 4 × 107cm / s we 6 × 107cm / s ýetýär. Has ýokary geçiş zolagyna ýetmek üçin amatlydyr. Häzirki wagtda InGaAs fotodetektorlary optiki aragatnaşyk üçin iň esasy fotodetektorlardyr. Esasan ýokary tizlik we ýokary doýma ýaly programmalarda ulanylýan kiçi göwrümli, arka hadysasy we ýokary zolakly ýerüsti hadysa detektorlary hem işlenip düzüldi.
Şeýle-de bolsa, birikdirmek usullarynyň çäkliligi sebäpli ýerüsti hadysalary kesgitleýjiler beýleki optoelektron enjamlary bilen birleşdirmek kyn. Şonuň üçin optoelektroniki integrasiýa isleginiň artmagy bilen, tolkun öndürijisi ajaýyp öndürijiligi we integrasiýa üçin amatly InGaAs fotodetektorlary kem-kemden gözleg merkezine öwrüldi. Şolaryň arasynda 70GHz we 110GHz täjirçilik InGaAs fotodetektor modullarynyň hemmesi diýen ýaly tolkun gorag birleşdiriji gurluşlary kabul edýär. Substrat materiallaryň tapawudyna görä, tolkun goragly InGaAs fotodetektorlary esasan iki görnüşe bölünip bilner: INP esasly we Si esasly. InP substratlaryndaky material epitaksial ýokary hilli we ýokary öndürijilikli enjamlary ýasamak üçin has amatlydyr. Şeýle-de bolsa, InGaAs materiallary bilen Si substratlarynyň arasyndaky dürli gabat gelmezlikler sebäpli Si substratlarynda ösdürilip ýetişdirilen ýa-da baglanan III-V topar materiallary üçin material ýa-da interfeýsiň hili birneme pes, enjamlaryň işleýşini gowulandyrmak üçin henizem ep-esli ýer bar.
Enjam könelişýän sebit materialy hökmünde InP ýerine InGaAsP ulanýar. Elektronlaryň doýma drift tizligini belli bir derejede peseldýän hem bolsa, hadysanyň ýagtylygynyň tolkun goragçysyndan siňdiriş sebitine birikmegini gowulandyrýar. Şol bir wagtyň özünde, InGaAsP N görnüşli aragatnaşyk gatlagy aýrylýar we P görnüşli üstüň her tarapynda kiçijik boşluk emele gelýär we ýagtylyk meýdanyndaky çäklendirmäni güýçlendirýär. Enjamyň has ýokary jogapkärçilige ýetmegine amatlydyr.
Iş wagty: Iýul-28-2025