Bu gün OFC2024-e göz aýlalyňfotodetektorlaresasan GeSi PD / APD, InP SOA-PD we UTC-PD öz içine alýar.
1. UCDAVIS, simmetrik däl Fabry-Perot gowşak rezonans 1315.5nm durmuşa geçirýärfotodetektorgaty kiçi göwrümli, 0.08fF diýlip çaklanylýar. Iki taraplaýyn -1V (-2V) bolanda, garaňky tok 0,72 nA (3.40 nA), jogap derejesi bolsa 0.93a / W (0.96a / W). Doldurylan optiki kuwwat 2 mWt (3 mWt). 38 GGs ýokary tizlikli maglumat synaglaryny goldap biler.
Aşakdaky diagrammada Ge-on- birleşdirilen tolkun goragçysyndan ybarat AFP PD-nyň gurluşy görkezilýär.Si fotodetektoröňdäki SOI-Ge tolkun goragçysy bilen, <10% şöhlelendirme bilen 90% re modeim gabat gelişine ýetýär. Yzky, 95% şöhlelendirilen paýlanan Bragg reflektor (DBR). Optimallaşdyrylan boşluk dizaýnynyň üsti bilen (AFP rezonatorynyň şöhlelenmesi we geçişi ýok edilip bilner, netijede Ge detektorynyň 100% töweregi siňdirilmegi. Merkezi tolkun uzynlygynyň 20nm geçirijilik giňliginde R + T <2% (-17 dB). Ge ini 0,6µm, sygymlylygy 0.08fF diýlip çaklanylýar.
2, Huazhong Ylym we Tehnologiýa Uniwersiteti kremniy germaniý öndürdigöç fotodiod, geçirijilik giňligi> 67 GGs, gazanmak> 6,6. SACMAPD fotodetektortransvers pipin çatrygynyň gurluşy kremniniň optiki platformasynda ýasalandyr. Içki germaniý (i-Ge) we içerki kremniý (i-Si) degişlilikde ýagtylygy siňdiriji gatlak we elektron iki esse gatlak bolup hyzmat edýär. Uzynlygy 14µm bolan i-Ge sebiti, 1550nm-de ýeterlik ýagtylygyň siňdirilmegini kepillendirýär. Kiçijik i-Ge we i-Si sebitleri fotokurrent dykyzlygyny ýokarlandyrmaga we ýokary taraplaýyn naprýa .eniýede geçirijilik giňligini giňeltmäge amatlydyr. APD göz kartasy -10.6 V.-de ölçenildi -14 dBm giriş optiki güýji bilen, 50 Gb / s we 64 Gb / s OOK signallarynyň göz kartasy aşakda görkezilýär we ölçenen SNR 17,8 we 13.2 dB degişlilikde
3. IHP 8 dýuýmlyk BiCMOS synag liniýalarynda nemes görkezilýärPD fotodetektorIň ýokary elektrik meýdanyny we iň gysga fotokarýeriň hereket ediş wagtyny döredip bilýän takmynan 100 nm ini bilen. Ge PD-da 265 GHz @ 2V @ 1.0mA DC fotokurrentli OE geçirijilik giňligi bar. Amal akymy aşakda görkezilýär. Iň uly aýratynlyk, adaty SI garyşyk ion implantasiýasynyň terk edilmegidir we ion implantasiýasynyň germaniýa täsir etmezligi üçin ösüşiň ösmegi shemasy kabul edilýär. Garaňky tok 100nA, R = 0.45A / W.
4, HHI SSC, MQW-SOA we ýokary tizlikli fotodetektordan ybarat InP SOA-PD görkezýär. O-topar üçin. PD-da 1 dB PDL-den pes 0,57 A / W, SOA-PD bolsa 1 dB PDL-den az 24 A / W duýgurlyk bar. Ikisiniň geçirijilik giňligi ~ 60 GGs, 1 GGs tapawudyny SOA-nyň rezonans ýygylygy bilen baglanyşdyryp bolar. Hakyky göz şekilinde nagyş effekti görünmedi. SOA-PD zerur optiki güýji 56 GBaud-da takmynan 13 dB azaldar.
5. ETH II görnüşi gowulandyrylan GaInAsSb / InP UTC-PD, geçirijilik giňligi 60 GHz @ nol ikitaraplaýyn we 100 GHz-da ýokary çykaryjy güýji -11 DBM. GaInAsSb-iň ösen elektron transport mümkinçiliklerini ulanyp, öňki netijeleriň dowamy. Bu kagyzda, optimal sorulma gatlaklaryna 100 nm agyr doply GaInAsSb we 20 nm açylmadyk GaInAsSb girýär. NID gatlagy umumy duýgurlygy ýokarlandyrmaga kömek edýär we enjamyň umumy sygymlylygyny azaltmaga we geçirijilik giňligini ýokarlandyrmaga kömek edýär. 64µm2 UTC-PD 60 GGs nol ikitaraplaýyn geçirijilik ukyby, 100 GGs -11 dBm çykyş güýji we 5.5 mA doýma toky bar. 3 V tersine, geçirijilik giňligi 110 GGs-a çenli ýokarlanýar.
6. “Innolight”, enjamyň dopingini, elektrik meýdanynyň paýlanyşyny we fotosuratda döredilen daşaýjynyň geçiriş wagtyny doly göz öňünde tutmak bilen, nemes kremniniň fotodetektorynyň ýygylyk jogap modelini kesgitledi. Köp goşundylarda uly giriş güýjüniň we ýokary geçirijilik ukybynyň zerurlygy sebäpli, uly optiki kuwwatly giriş geçirijilik giňliginiň peselmegine sebäp bolar, iň oňat tejribe gurluş dizaýny bilen germaniýadaky daşaýjynyň konsentrasiýasyny azaltmakdyr.
7, Tsinghua uniwersiteti ýokary doýma güýji UTC-PD, (2) 100GHz zolakly goşa süýşme gatlagy (DCL) üç görnüşli UTC-PD, (1) 100 GHz zolakly goşa drift gatlagy (DDL) gurluşyny taslady. , 3
Iş wagty: Awgust-19-2024